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导电型碳化硅衬底

第三代半导体材料

SuperSiC掌握行业领先的6-8英寸碳化硅晶体生长技术，具备自主可控的大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术

产品特点

碳化硅的禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强
可制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域

产品通用参数

SuperSiC