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打造全球领先的碳化硅半导体材料企业
瞄准攻关功率器件领域关键核心技术， 创新赋能中国半导体产业发展
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产业布局
导电型碳化硅衬底
第三代半导体材料
SuperSiC掌握行业领先的6-8英寸碳化硅晶体生长技术，具备自主可控的大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术
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发展历史
2014
公司成立于2014年，是国内领先的碳化硅材料和LED基板材料制造高新技术企业。
2017
2017年启动碳化硅晶体研发项目，同年完成4英寸导电型碳化硅晶体开发。
2019
2019年完成6英寸导电型碳化硅晶体开发。
2020
2020年组建6英寸碳化硅研发线，包括长晶炉、切割、磨抛设备等；
2021
建成6英寸碳化硅晶体生长、切磨抛、清洗检测生产线；开始小批量出货。
2022
2022年8月完成8英寸导电型碳化硅晶体开发，2022年底完成8英寸导电型碳化硅衬底片开发。
2023
8英寸晶体迭代和8英寸晶片小批量生产
2024
8英寸晶片批量生产和出货
2025
生产出12英寸碳化硅晶片
2026
小批量生产12英寸碳化硅晶片
2014
公司成立
2017
4英寸SiC晶体开发成功
2019
6英寸SiC晶体开发成功
2020
组建中试线
2021
达产、供货
2022
8英寸完成突破
2023
8英寸晶体迭代与小批量生产
2024
8英寸批量生产
2025
产出12英寸碳化硅
2026
12英寸批量生产
